反应离子刻蚀系统（RIE)

RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：

u 介电材料（SiO2、SiNx等）

u 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

u III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

u 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

u 类金刚石（DLC）       

产品配置：

1.样片尺寸：2，4，6，8，12

2.刻蚀材料：包括并不限于单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等

3.刻蚀腔体：高真空系统

4.Load-Lock：低真空系统 或 高真空系统。双片装，样品自动运送。

5.刻蚀不均匀性：±3%-±6%

6.刻蚀速率：0.1-4μm/min（视具体材料与工艺）

7.工作台：可升降，包含水冷

8.电源配置：下电极偏压，包含自动匹配

9.气路数量与种类：4路耐氟基腐蚀气路 或 用户选配

10.He冷背吹系统：可选配

11.终点检测控制：可选配质谱仪

12.操作模式：全自动+半自动控制