单片清洗刻蚀（Single wafer）

设备名称：单片清洗刻蚀设备

1.半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。

该设备具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的R＆D型系统，适用于灵活的清洁程序和300 mm的能力。

此外，可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。

2.技术数据

晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米

清洁系统：开室，旋转器和清洁臂

腔室：由PP或PFA制成（可选）

清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）

旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成

旋转：最高3000 rpm（5秒内）

超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）

输出功率：30-60 W

去离子水流量：最高1.5升/分钟

材质：聚四氟乙烯

兆声区域传感器：频率：1 MHz（3 MHz选件）

输出功率：最大 2.5 W /cm2有效面积（最大输出200 W）

去离子水流量：最高1.5升/分钟

有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质：不锈钢和蓝宝石；刷；材质：PVA